研究人员发现，像氮化铟这类半导体的禁带比原先认为的明显要小。原先一直以为禁带的数值接近２电子伏特，而现在查明，它低于０．７电子伏特。这一发现表明，以含有铟、镓和氮的合金（Ｉｎ１－ｘＧａｘＮ）为基础的光电池将对所有太阳光谱的辐射--从近红外线一直到紫外线都灵敏。利用这种合金可以研制比较廉价的太阳能电池板，而且新型太阳能电池板将比现有的更结实和更高效。

　　有关人员指出，用氮化铟和氮化镓双层制成的多级太阳能电池可以达到理论极限最大效率的５０％，为此，一层需要“调整”到１．７电子伏特的禁带，而另一层需“调整”到１．１电子伏特的禁带。如果能制成层数很多的太阳能电池，在每层中都具有自己的禁带，则太阳能电池的最大理论效率可达到７０％以上。

　　同时，用铟和氮化镓制成的半导体具有很高的耐辐射性能，是制作宇宙飞行器太阳能电池的理想材料。生产这类太阳能电池的价格接近于昂贵显示器中光二极管的价格。